2SK879-Y(TE85L,F) Ficha de dados
Especificações para 2SK879-Y(TE85L,F)
Número da peça : 2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : JFET N-CH 0.1W USM
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) : -
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : -
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V
Dreno atual (Id) - Max : -
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id : 400mV @ 100nA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8.2pF @ 10V
Resistência - RDS (On) : -
Potência - Max : 100mW
Temperatura de operação : 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SC-70, SOT-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : USM
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
JFET N-CH 0.1W USM
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3315180 Peças
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