APTM100H80FT1G Ficha de dados
Especificações para APTM100H80FT1G
Número da peça : APTM100H80FT1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V (1kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3876pF @ 25V
Potência - Max : 208W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
27104 Peças
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