APTMC120HM17CT3AG Ficha de dados
Especificações para APTMC120HM17CT3AG
Número da peça : APTMC120HM17CT3AG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : POWER MODULE - SIC MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 332nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5576pF @ 1000V
Potência - Max : 750W
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
POWER MODULE - SIC MOSFET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9023 Peças
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