AUIRF7379Q Ficha de dados
Especificações para AUIRF7379Q
Número da peça : AUIRF7379Q
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
Potência - Max : 2.5W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-AUIRF7379Q
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
28168 Peças
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