BAS316,H3F Ficha de dados
Especificações para BAS316,H3F
Número da peça : BAS316,H3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 250mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 3ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 200nA @ 80V
Capacitância @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SC-76, SOD-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : USC
Temperatura de funcionamento - junção : 150°C (Max)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-BAS316,H3F
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
15281280 Peças
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