BS2100F-E2 Ficha de dados
Especificações para BS2100F-E2
Número da peça : BS2100F-E2
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : IC DVR IGBT/MOSFET
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Configuração Dirigida : Half-Bridge
Tipo de canal : Independent
Número de Drivers : 2
Tipo de portão : N-Channel MOSFET
Tensão - fonte : 10V ~ 18V
Tensão Lógica - VIL, VIH : 1V, 2.6V
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador) : 60mA, 130mA
Tipo de entrada : Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap) : 600V
Tempo de subida / queda (Typ) : 200ns, 100ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-BS2100F-E2
Fabricante
Descrição breve
IC DVR IGBT/MOSFET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1043160 Peças
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