BSO615N Ficha de dados
Especificações para BSO615N
Número da peça : BSO615N
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Series : SIPMOS®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-DSO-8
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-BSO615N
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
26201 Peças
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