Especificações para CSD19535KTTT

Número da peça : CSD19535KTTT
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7930pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DDPAK/TO-263-3
Pacote / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
160450 Peças
Preço de referência
USD 0
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