DMJ70H900HJ3 Ficha de dados
Especificações para DMJ70H900HJ3
Número da peça : DMJ70H900HJ3
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 603pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 68W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251
Pacote / caso : TO-251-3, IPak, Short Leads
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-DMJ70H900HJ3
Fabricante
Descrição breve
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
323020 Peças
Preço de referência
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