FQD10N20LTM Ficha de dados
Especificações para FQD10N20LTM
Número da peça : FQD10N20LTM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-FQD10N20LTM
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1130460 Peças
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