GA20JT12-263 Ficha de dados
Especificações para GA20JT12-263
Número da peça : GA20JT12-263
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 1200V 45A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3091pF @ 800V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 282W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK (7-Lead)
Pacote / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-GA20JT12-263
Fabricante
Descrição breve
TRANS SJT 1200V 45A
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
20408 Peças
Preço de referência
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