GPAS1006 MNG Ficha de dados
Especificações para GPAS1006 MNG
Número da peça : GPAS1006 MNG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-GPAS1006 MNG
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1791590 Peças
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