HGT1S10N120BNS Ficha de dados
Especificações para HGT1S10N120BNS
Número da peça : HGT1S10N120BNS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max : 298W
Energia de comutação : 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 23ns/165ns
Condição de teste : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
142670 Peças
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