IPB80N06S209ATMA2 Ficha de dados
Especificações para IPB80N06S209ATMA2
Número da peça : IPB80N06S209ATMA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 125µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2360pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 190W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-3-2
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
554190 Peças
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