IPC302N12N3X1SA1 Ficha de dados
Especificações para IPC302N12N3X1SA1
Número da peça : IPC302N12N3X1SA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 275µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sawn on foil
Pacote / caso : Die
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
146790 Peças
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