IPI084N06L3GXKSA1 Ficha de dados
Especificações para IPI084N06L3GXKSA1
Número da peça : IPI084N06L3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH TO262-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 34µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4900pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 79W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3-1
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH TO262-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
496635 Peças
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