Especificações para IRF6616

Número da peça : IRF6616
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta), 106A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3765pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MX
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MX
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
68735 Peças
Preço de referência
USD 0
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