IRFB4310GPBF Download da folha de dados em PDF - MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB

Especificações para IRFB4310GPBF

Número da peça : IRFB4310GPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB

Series : HEXFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 130A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7670pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça de fabricante

IRFB4310GPBF

Número de peça interno

AX-IRFB4310GPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

17432 Peças

Preço de referência

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XC2C512-7FGG324C	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 7.1NS 324FBGA

IRFB4310GPBF Ficha de dados

Especificações para IRFB4310GPBF

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