IRFH5302DTRPBF Ficha de dados
Especificações para IRFH5302DTRPBF
Número da peça : IRFH5302DTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3635pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PQFN (5x6) Single Die
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
486305 Peças
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