IXFT12N100F Ficha de dados
Especificações para IXFT12N100F
Número da peça : IXFT12N100F
Fabricante : IXYS-RF
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Series : HiPerRF™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268 (IXFT)
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IXFT12N100F
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
46752 Peças
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