K4B2G1646F-BYNB Ficha de dados
Especificações para K4B2G1646F-BYNB
Número da peça : K4B2G1646F-BYNB
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Series : DDR3
Densidade : 2 Gb
Org. : 128M x 16
Rapidez : 2133 Mbps
Voltagem : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Pacote : 96FBGA
Status do produto : Mass Production
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
95450 Peças
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