MT3S111P(TE12L,F) Ficha de dados
Especificações para MT3S111P(TE12L,F)
Número da peça : MT3S111P(TE12L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : NPN
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 6V
Freqüência - Transição : 8GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) : 1.25dB @ 1GHz
Ganho : 10.5dB
Potência - Max : 1W
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 200 @ 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-243AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PW-MINI
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1222495 Peças
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