NDD03N50Z-1G Ficha de dados
Especificações para NDD03N50Z-1G
Número da peça : NDD03N50Z-1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 274pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 58W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-NDD03N50Z-1G
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
66455 Peças
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