NVMFD5C650NLWFT1G Ficha de dados
Especificações para NVMFD5C650NLWFT1G
Número da peça : NVMFD5C650NLWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 98µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2546pF @ 25V
Potência - Max : 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
389225 Peças
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