PH5525L,115 Ficha de dados
Especificações para PH5525L,115
Número da peça : PH5525L,115
Fabricante : NXP USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 81.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-PH5525L,115
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
62385 Peças
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