R6020KNZ1C9 Ficha de dados
Especificações para R6020KNZ1C9
Número da peça : R6020KNZ1C9
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : NCH 600V 20A POWER MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1550pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 231W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-R6020KNZ1C9
Fabricante
Descrição breve
NCH 600V 20A POWER MOSFET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
154835 Peças
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