RSS110N03FU6TB Ficha de dados
Especificações para RSS110N03FU6TB
Número da peça :
RSS110N03FU6TB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (máx.) :
20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9808 Peças
Preço de referência
Nosso preço
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- MoneyGram
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