Especificações para SCT2H12NYTB

Número da peça : SCT2H12NYTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 410µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 18V
Vgs (máx.) : +22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 800V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 44W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
127010 Peças
Preço de referência
USD 0
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