SCTW90N65G2V Ficha de dados
Especificações para SCTW90N65G2V
Número da peça : SCTW90N65G2V
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs (máx.) : +22V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : HiP247™
Pacote / caso : TO-247-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-SCTW90N65G2V
Fabricante
Descrição breve
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
12424 Peças
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