SCTWA50N120 Ficha de dados
Especificações para SCTWA50N120
Número da peça : SCTWA50N120
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 65A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 20V
Vgs (máx.) : +25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 318W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : HiP247™
Pacote / caso : TO-247-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-SCTWA50N120
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
22778 Peças
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