Especificações para SH8M4TB1

Número da peça : SH8M4TB1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 10V
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
617380 Peças
Preço de referência
USD 0
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