SI2309DS-T1-E3 Ficha de dados
Especificações para SI2309DS-T1-E3
Número da peça :
SI2309DS-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4336 Peças
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