SI3900DV-T1-GE3 Ficha de dados
Especificações para SI3900DV-T1-GE3
Número da peça :
SI3900DV-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
830mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1018300 Peças
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