SI6463BDQ-T1-GE3 Ficha de dados
Especificações para SI6463BDQ-T1-GE3
Número da peça : SI6463BDQ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.05W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSSOP
Pacote / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
7016 Peças
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