SIZ926DT-T1-GE3 Ficha de dados
Especificações para SIZ926DT-T1-GE3
Número da peça : SIZ926DT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Series : TrenchFET® Gen IV
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potência - Max : 20.2W, 40W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PowerPair® (6x5)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
811870 Peças
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