SPP11N60S5HKSA1 Ficha de dados
Especificações para SPP11N60S5HKSA1
Número da peça : SPP11N60S5HKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1460pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3-1
Pacote / caso : TO-220-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
65610 Peças
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