TK12E80W,S1X Ficha de dados
Especificações para TK12E80W,S1X
Número da peça : TK12E80W,S1X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 570µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 165W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TK12E80W,S1X
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
141690 Peças
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