TK17N65W,S1F Ficha de dados
Especificações para TK17N65W,S1F
Número da peça : TK17N65W,S1F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 900µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 165W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TK17N65W,S1F
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
132460 Peças
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