TK5Q65W,S1Q Ficha de dados
Especificações para TK5Q65W,S1Q
Número da peça : TK5Q65W,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.22 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 60W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TK5Q65W,S1Q
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
403105 Peças
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