TPH1R712MD,L1Q Ficha de dados
Especificações para TPH1R712MD,L1Q
Número da peça : TPH1R712MD,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 182nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10900pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 78W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
856420 Peças
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