TPH6R30ANL,L1Q Ficha de dados
Especificações para TPH6R30ANL,L1Q
Número da peça : TPH6R30ANL,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 66A (Ta), 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1102320 Peças
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