TPN7R506NH,L1Q Ficha de dados
Especificações para TPN7R506NH,L1Q
Número da peça : TPN7R506NH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1246280 Peças
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