TPS1100DR Ficha de dados
Especificações para TPS1100DR
Número da peça : TPS1100DR
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 15V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V
Vgs (máx.) : +2V, -15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 791mW (Ta)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TPS1100DR
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
722950 Peças
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