TSM200N03DPQ33 RGG Ficha de dados
Especificações para TSM200N03DPQ33 RGG
Número da peça : TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V
Potência - Max : 20W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (3x3)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2682915 Peças
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