BSG0810NDIATMA1 Ficha de dados
Especificações para BSG0810NDIATMA1
Número da peça : BSG0810NDIATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 12V
Potência - Max : 2.5W
Temperatura de operação : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TISON-8
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
417080 Peças
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