BSG0810NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
417080 Pieces
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Especificações para BSG0810NDIATMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
BSG0810NDIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 12V
Potência - Max :
2.5W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TISON-8
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para BSG0810NDIATMA1
Folhas de dados :
BSG0810NDIATMA1.pdf
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