IRFD123PBF Ficha de dados
Especificações para IRFD123PBF
Número da peça : IRFD123PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso : 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IRFD123PBF
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
759095 Peças
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