IRFD123PBF - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Número da peça de fabricante

IRFD123PBF

Número de peça interno

AX-IRFD123PBF

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

759095 Pieces

Preço de referência

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Especificações para IRFD123PBF

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IRFD123PBF

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacote / caso : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IRF , IRFD1

Documentos para IRFD123PBF

Folhas de dados : IRFD123PBF.pdf

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