PMXB360ENEAZ Ficha de dados
Especificações para PMXB360ENEAZ
Número da peça : PMXB360ENEAZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1010D-3
Pacote / caso : 3-XDFN Exposed Pad
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-PMXB360ENEAZ
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3679620 Peças
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