PMXB360ENEAZ - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Número da peça de fabricante

PMXB360ENEAZ

Número de peça interno

AX-PMXB360ENEAZ

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Descrição breve

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

3679620 Pieces

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Especificações para PMXB360ENEAZ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : PMXB360ENEAZ

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descrição : MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 40V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1010D-3

Pacote / caso : 3-XDFN Exposed Pad

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : PMXB , PMXB36

Documentos para PMXB360ENEAZ

Folhas de dados : PMXB360ENEAZ.pdf

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