PMXB360ENEAZ - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-PMXB360ENEAZ
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3679620 Pieces
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Especificações para PMXB360ENEAZ
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
PMXB360ENEAZ
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
130pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1010D-3
Pacote / caso :
3-XDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para PMXB360ENEAZ
Folhas de dados :
PMXB360ENEAZ.pdf
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